Une nouvelle classe de matériaux à base de GaN est apparue ces dernières années. La réalisation de sources optiques compactes à base de ces alliages pouvant émettre dans la gamme des courtes longueurs d’onde ( bleu et UV) ouvre la voie vers de nombreuses applications. Cependant l’épitaxie de ces matériaux est rendue difficile à cause du désaccord paramétrique entre les couches déposées et les substrats existants. L’incorporation de bore dans GaN permet de réduire le désaccord entre le nouvel alliage obtenu BGaN et le pseudo - substrat d’AlN. Les propriétés de ces matériaux dépendent fortement de la qualité des couches déposées. Aussi, ce travail présente une étude de la morphologie d'échantillons de BGaN de différentes compositions de bore fabriqués par MOVPE. Cette étude morphologique est réalisée via la microscopie à force atomique (AFM) et la microscopie électronique à balayage (MEB). Elle montre une évolution de l'état de surface en fonction de la composition de bore.