R. Fernandez, N. Amos, R. Ikkawi, B. Lee, A. Lavrenov et al., J. Appl. Phys, vol.103, pp.7-732, 2008.

J. W. Rogers, V. Levenets, C. A. Pawlowicz, N. G. Tarr, T. J. Smy et al., IEEE Trans. Electron Devices, vol.48, pp.1284-1287, 2001.

Y. E. Chen, Y. K. Yooqn, J. Laskar, and M. Allen, IEEE Int. Microwave Symp. Dig, pp.523-526, 2001.

V. Korenivski and R. B. Van-dover, J. Appl. Phys, vol.82, pp.5247-5254, 1997.

C. R. Sullivan, D. V. Harburg, J. Z. Qiu, C. G. Levey, and D. Yao, IEEE Trans. Power Electron, vol.28, pp.4342-4353, 2013.

M. Saidania and M. A. Gijs, Appl. Phys. Lett, vol.84, pp.4496-4498, 2004.

T. Dastagir, W. Xu, S. Sinha, H. Wu, Y. Cao et al., Appl. Phys. Lett, vol.97, pp.162506-162506, 2010.

G. X. Liu, X. X. Cui, and S. X. Dong, J. Appl. Phys, vol.108, pp.94106-094106, 2010.

J. Lou, D. Reed, M. Liu, and N. X. Sun, Appl. Phys. Lett, vol.94, pp.112508-112508, 2009.

M. Yamaguchi, K. H. Kim, and S. Ikedaa, J. Magn. Magn. Mater, vol.304, pp.208-213, 2006.

D. S. Gardner, G. Schrom, P. Hazucha, F. Paillet, T. Karnik et al., J. Appl. Phys, vol.103, pp.7-927, 2008.

A. M. Crawford, D. Gardner, and S. X. Wang, IEEE Trans. Magn, vol.38, pp.3168-3170, 2002.

D. H. Shin, C. S. Kim, J. H. Jeong, S. Bae, S. E. Nam et al., J. Appl. Phys, vol.87, pp.5852-5854, 2000.

H. F. Sun, J. Vac. Sci. Technol. B, vol.26, pp.1407-1411, 2008.

S. D. Johnson, H. S. Newman, and E. R. Glaser, IEEE Trans. Magn, vol.51, p.2200206, 2015.

S. Prabhakaran, C. R. Sullivan, and V. Kapil, IEEE Trans. Magn, vol.39, pp.3190-3192, 2003.

D. Yao, C. G. Levey, R. Tian, and C. R. Sullivan, IEEE Trans. Power Electron, vol.28, pp.4384-4394, 2013.

C. Kittel, Phys. Rev, vol.73, issue.2, pp.155-161, 1948.

S. Petit, C. Baraduc, C. Thirion, U. Ebels, Y. Liu et al., Phys. Rev. Lett, vol.98, issue.7, p.77203, 2007.

C. Bilzer, T. Devolder, P. Crozat, C. Chappert, S. Cardoso et al., J. Appl. Phys, vol.101, p.74505, 2007.

, Agilent Technologies

C. Microtech and . Inc,

Z. Ni, J. Zhan, Q. Fang, X. Wang, Z. T. Shi et al., IEEE Trans. Electron Devices, vol.60, pp.1427-1435, 2013.

W. Xu, S. Sinha, F. Pan, T. Dastagir, Y. Cao et al., IEEE Electron Device Lett, vol.31, pp.207-209, 2010.

C. Yang, F. Liu, X. Wang, J. Zhan, A. Wang et al., IEEE Trans. Electron Devices, vol.56, pp.3133-3140, 2009.

J. Liu, Y. L. Shi, and X. Z. Wen, Microw. Opt. Technol. Lett, vol.50, pp.2210-2213, 2008.

C. Yang, F. Liu, X. Wang, J. Zhan, A. Wang et al., IEEE Trans. Electron Devices, vol.56, pp.3141-3148, 2009.