Nitrogen interstitial defects in silicon. A quantum mechanical investigation of the structural, electronic and vibrational properties - Université de Lorraine
Article Dans Une Revue Materials Today Communications Année : 2019

Nitrogen interstitial defects in silicon. A quantum mechanical investigation of the structural, electronic and vibrational properties

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Chimie théorique et/ou physique
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Citer

Alexander Platonenko, Francesco Silvio Gentile, Jefferson Maul, Fabien Pascale, Eugene Kotomin, et al.. Nitrogen interstitial defects in silicon. A quantum mechanical investigation of the structural, electronic and vibrational properties. Materials Today Communications, 2019, 21, pp.100616. ⟨10.1016/j.mtcomm.2019.100616⟩. ⟨hal-03424455⟩

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