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Etude de dispositifs à ondes acoustiques de surface (SAW) à structure multicouche nitrure d'aluminium / Diamant : croissance de matériaux en couches minces et technologie de réalisation, Thèse de l' Université Henri Poincaré, 2001. ,
Conclusion Générale et perspectives L'objectif de ce travail était de déposer des couches minces de nitrure d'aluminium cristallisant dans la structure hexagonale à axe c incliné en vue de l'excitation, Thin Solid Films, vol.514, issue.341, 2006. ,
un grand nombre de dépôts afin de déterminer l'effet des paramètres de croissance sur l'angle d'inclinaison de l'axe c et d'obtenir avec précision les conditions de croissance permettant d'obtenir l'inclinaison la plus prononcée. L'objectif visé s'est avéré difficile à atteindre car la forte ,
AlN à axe c incliné dans le système AC450 du laboratoire en se basant sur les paramètres de croissance (pression, température, puissance et pourcentage d'azote) ,
AlN à axe c incliné et leur rôle dans l'excitation des ondes élastiques de cisaillement dans des microsystèmes électro-mécaniques. Les configurations des microsystèmes à ondes acoustiques de surface (SAW) et de volume (BAW) ainsi que leur principe de fonctionnement ont été expliqués. Ensuite, nous avons présenté une étude détaillée sur la propagation des ondes élastiques dans ces structures en se basant sur la relation fondamentale de la dynamique et les équations de Maxwell Nous avons également appliqué l, Nous avons traité explicitement les conditions aux limites mécaniques et électriques pour déterminer théoriquement les principaux paramètres caractérisant un dispositif SAW ,
nous avons abordé les différentes techniques de croissance des couches minces Nous avons montré que la technique la plus appropriée à la croissance des couches d'AlN présentant les propriétés requises à basse température est la pulvérisation magnétron, Nous avons, ensuite, abordé la technologie de fabrication des microsystèmes et déterminé les paramètres optimaux permettant la réalisation de tels systèmes ,
abord expliqué le procédé et présenté ensuite les principaux résultats. La variation de l'angle d'inclinaison en fonction des différents paramètres de croissance a été étudiée d'une manière détaillée. Les caractérisations effectuées sur des échantillons de 1.5 cm de côté, prélevés de wafers de 3 pouces, ont montré l'existence de 3 zones : une zone centrale de 1cm de diamètre (zone 1) ,
nous avons montré la possibilité d'exciter l'onde de cisaillement dans un dispositif à ondes acoustique de surface constitué d'une couche d'AlN de 500nm sur une couche de SiO 2 de 100nm déposée dans les conditions optimales et présentant un angle d'inclinaison de 13±2°. Nous avons démontré, en effet, la possibilité d'exciter les ondes de cisaillement dans un dispositif SAW de type AlN ,
c-axis inclined AlN film growth in planar system for shear wave devices, Diamond and Related Materials, vol.17, issue.7-10, p.1770, 2008. ,
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Benyoucef « Dépôt de films minces de nitrure d'aluminium à axe c incliné par pulvérisation magnétron en vue de la réalisation de dispositifs à ondes acoustiques de volume ,
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Benyoucef ?Growth of inclined c-axis AlN films in planar system for FBAR devices? ,