W. King, Piezoelectric Sorption Detector., Analytical Chemistry, vol.36, issue.9, p.1735, 1964.
DOI : 10.1021/ac60215a012

B. Assouar, Etude de dispositifs à ondes acoustiques de surface (SAW) à structure multicouche nitrure d'aluminium/diamant : croissance de matériaux en couches minces et technlogie de réalisation, 2001.

R. S. Naik, R. Reif, J. S. Lutsky, and C. G. Sodni, Low-Temperature Deposition of Highly Textured Aluminum Nitride by Direct Current Magnetron Sputtering for Applications in Thin-Film Resonators, Journal of The Electrochemical Society, vol.146, issue.2, pp.146-691, 1999.
DOI : 10.1149/1.1391664

M. A. Dubois and P. Muralt, Properties of aluminum nitride thin films for piezoelectric transducers and microwave filter applications, Applied Physics Letters, vol.74, issue.20, p.3023, 1999.
DOI : 10.1557/JMR.1992.3242

M. A. Dubois, P. Muralt, H. Matsumoto, and V. Plessky, Solidly mounted resonator based on aluminum nitride thin film, 1998 IEEE Ultrasonics Symposium. Proceedings (Cat. No. 98CH36102), p.909, 1998.
DOI : 10.1109/ULTSYM.1998.762291

P. Osbond, C. M. Beck, C. J. Brierley, M. R. Cox, S. P. Marsh et al., The influence of ZnO and electrode thickness on the performance of thin film bulk acoustic wave resonators, 1999 IEEE Ultrasonics Symposium. Proceedings. International Symposium (Cat. No.99CH37027), p.911, 1999.
DOI : 10.1109/ULTSYM.1999.849137

C. C. Hsueh, T. Tamagawa, C. Ye, A. Helegeson, and D. L. Polla, Sol-gel derived ferroelectric thin films in silicon micromachining, Integrated Ferroelectrics, vol.37, issue.1, 1993.
DOI : 10.1109/58.105249

D. Royer and E. Dieulsaint, Ondes élastiques dans les solides, 1996.

D. Royer and E. Dieulsaint, Ondes élastiques dans les solides, 1999.

T. Kadoma, H. Kawabata, Y. Yasuhara, and H. Sato, Design of low-loss SAW filters employing distributed acoustic reflection transducers, IEEE Ultrason. Sympos. Proc, p.59, 1986.

F. Martin, M. Jan, B. Belgacem, M. Dubois, and P. Muralt, Shear mode coupling and properties dispersion in 8GHz range AlN thin film bulk acoustic wave (BAW) resonator, Thin Solid Films, vol.514, issue.1-2, p.341, 2006.
DOI : 10.1016/j.tsf.2006.03.005

G. Wingqvist, J. Bjurstrom, L. Liljeholm, V. Yantchev, and I. Katardjiev, Shear mode AlN thin film electro-acoustic resonant sensor operation in viscous media, Sensors and Actuators B: Chemical, vol.123, issue.1, p.466, 2007.
DOI : 10.1016/j.snb.2006.09.028

K. M. Lakin, Thin film resonator technology, IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control, vol.52, issue.5, p.707, 2005.
DOI : 10.1109/TUFFC.2005.1503959

J. J. Lutsky, A sealed cavity thin-film acoustic resonator process for RF bandpass filters, Thèse de doctorat, 1997.

H. P. Löbl, M. Klee, R. Milsom, R. Dekker, C. Metzmacher et al., Materials for bulk acoustic wave (BAW) resonators and filters, Journal of the European Ceramic Society, vol.21, issue.15, p.2633, 2001.
DOI : 10.1016/S0955-2219(01)00329-6

J. Boo, S. Lee, Y. Kim, J. T. Park, K. Yu et al., Growth of AlN and GaN Thin Films on Si(100) Using New Single Molecular Precursors by MOCVD Method, physica status solidi (a), vol.11, issue.1, p.711, 1999.
DOI : 10.1557/PROC-73-359

K. Ohnishi, Y. Hirokawa, T. Shiosaki, and A. Kawabata, Chemical Vapor Deposition of Single-Crystalline ZnO Film with Smooth Surface on Intermediately Sputtered ZnO Thin Film on Sapphire, Japanese Journal of Applied Physics, vol.17, issue.5, p.773, 1978.
DOI : 10.1143/JJAP.17.773

S. Bakalova, A. Szekeres, A. Cziraki, C. P. Lungu, S. Grigorescu et al., Influence of in situ nitrogen pressure on crystallization of pulsed laser deposited AlN films, Applied Surface Science, vol.253, issue.19, p.8215, 2007.
DOI : 10.1016/j.apsusc.2007.02.140

R. D. Vispute, J. Narayan, H. Wu, and K. Jagannadham, Epitaxial growth of AlN thin films on silicon (111) substrates by pulsed laser deposition, Journal of Applied Physics, vol.75, issue.9, p.4724, 1995.
DOI : 10.1063/1.104118

C. Ciberta, F. Tetardb, P. Djemiab, C. Champeauxa, A. Catherinota et al., Mechanical and physicochemical properties of AlN thin films obtained by pulsed laser deposition, Superlattices and Microstructures, vol.36, issue.4-6, p.409, 2004.
DOI : 10.1016/j.spmi.2004.09.055

J. B. Lee, J. P. Jung, M. H. Lez, and J. Park, Effects of bottom electrodes on the orientation of AlN films and the frequency responses of resonators in AlN-based FBARs, Thin Solid Films, 2003.

M. Link, Etude et réalisation des résonateurs à ondes acoustiques de volume (FBAR) montés sur miroir acoustique et exploitant le mode de cisaillement dans les couches minces d'oxyde de zinc (ZnO) à, axe c incliné: application aux capteurs gravimétriques en milieux liquides, Thèse de doctorat, 2006.

J. A. Thornton, High Rate Thick Film Growth, Annual Review of Materials Science, vol.7, issue.1, p.239, 1977.
DOI : 10.1146/annurev.ms.07.080177.001323

M. B. Assouar, Etude de dispositifs à ondes acoustiques de surface (SAW) à structure multicouche AlN/Diamant: croissance de matériaux en couches minces et technologie de réalisation, Thèse de doctorat, 2001.

J. P. Grandchamp, Techniques de gravure sèche », Atelier d'initiation aux microtechnologies, formation CNRS, 1999.

F. Engelmark, AlN and high ?k thin films for IC and electroacoustic applications» Dessertation, 2002.

P. Favennec, « Technologies pour les composants à semiconducreurs, principes physiques, 1994.

C. Kittel, Introduction to solid State Physics, 1996.

M. Link, Etude et réalisation des résonateurs à ondes acoustiques de volume (FBAR) montés sur miroir acoustique et exploitant le mode de cisaillement dans les couches minces d'oxydez de zinc (ZnO) à, axe c incliné: application aux capteurs gravimétriques en milieux liquides, Thèse de doctorat, 2006.

A. Rossi, Microanalyse par rayon X avec spectrométrie par dispersion d'énergie montée sur un Microscope Electronique à balayage, thèse, 1997.

R. M. Azzam and N. M. Basara, Ellipsometry and polarized light, North holland, 1976.

H. G. Tompkins and W. A. Mcgahan, Spectroscopic Ellipsometry and reflectrmetry : A user's guide Wiley, 1999.

C. B. Labelle and K. K. Gleason, Pulsed plasma-enhanced chemical vapor deposition from CH2F2, C2H2F4, and CHClF2, Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, vol.17, issue.2, p.445, 1999.
DOI : 10.1116/1.581604

C. B. Labelle, R. Opilla, and A. Kornblit, Plasma deposition of fluorocarbon thin films from c-C4F8 using pulsed and continuous rf excitation, Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, vol.23, issue.1, p.190, 2005.
DOI : 10.1116/1.1830496

K. S. Lau, J. A. Caulfield, and K. K. Gleason, Variable angle spectroscopic ellipsometry of fluorocarbon films from hot filament chemical vapor deposition, Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, vol.18, issue.5, p.2404, 2000.
DOI : 10.1116/1.1288191

H. G. Tompkins and W. A. Mcghan, Spectroscopic Ellipsometry and reflectometry: A Users guide, 1999.

W. Yang, S. A. Mcpherson, Z. Mao, S. Mckernan, and C. Carter, Single-crystal GaN pyramids grown on (111)Si substrates by selective lateral overgrowth, Journal of Crystal Growth, vol.204, issue.3, p.270, 1999.
DOI : 10.1016/S0022-0248(99)00205-5

A. F. Wright, Elastic properties of zinc-blende and wurtzite AlN, GaN, and InN, Journal of Applied Physics, vol.37, issue.6, p.2833, 1997.
DOI : 10.1103/PhysRevB.7.743

M. Link, J. Weber, M. Schreiter, W. Wersing, O. Elmazria et al., Sensing characteristics of high-frequency shear mode resonators in glycerol solutions???, Sensors and Actuators B: Chemical, vol.121, issue.2, p.372, 2007.
DOI : 10.1016/j.snb.2006.03.055

G. Wingqvist, J. Bjurström, L. Liljeholm, V. Yantchev, and I. Katardjiev, Shear mode AlN thin film electro-acoustic resonant sensor operation in viscous media, Sensors and Actuators B: Chemical, vol.123, issue.1, p.466, 2007.
DOI : 10.1016/j.snb.2006.09.028

V. Yanchev, J. Enlund, J. Biurstrom, and I. Katardjiev, Design of high frequency piezoelectric resonators utilizing laterally propagating fast modes in thin aluminum nitride (AlN) films, Ultrasonics, vol.45, issue.1-4, p.208, 2006.
DOI : 10.1016/j.ultras.2006.09.008

M. B. Assouar, O. Elmazria, M. Hakiki, and P. Alnot, Study of structural and microstructural properties of AlN films deposited on silicon and quartz substrates for surface acoustic wave devices, Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, vol.22, issue.4, p.1717, 2004.
DOI : 10.1116/1.1767196

M. B. Assouar, M. Elhakiki, O. Elmazria, P. Alnot, and C. Tiusan, Synthesis and microstructural characterisation of reactive RF magnetron sputtering AlN films for surface acoustic wave filters, Diamond and Related Materials, vol.13, issue.4-8, p.1111, 2004.
DOI : 10.1016/j.diamond.2003.11.064

F. Martin, M. Jan, B. Belgacem, M. Dubois, and P. Muralt, Shear mode coupling and properties dispersion in 8GHz range AlN thin film bulk acoustic wave (BAW) resonator, Thin Solid Films, vol.514, issue.1-2, p.341, 2006.
DOI : 10.1016/j.tsf.2006.03.005

F. Medjani, R. Sanjinès, A. Allidi, and A. Kaimi, Effect of substrate temperature and bias voltage on the crystallite orientation in RF magnetron sputtered AlN thin films, Thin Solid Films, vol.515, issue.1, p.260, 2006.
DOI : 10.1016/j.tsf.2005.12.145

M. Hakiki, Etude tehéorique et expérimentale des dispositifs à ondes acoustiques de surface (SAW) à base de structures multicouches :ZnO/quatz, Aln/diamant et ZnO/AlN/diamant, 2003.

M. Link, Etude et réalisation des résonateurs à ondes acoustiques de volume (FBAR) montés sur miroir acoustique et exploitant le mode de cisaillement dans les couches minces d'oxyde de zinc (ZnO) à, axe c incliné: application aux capteurs gravimétriques en milieux liquides, Thèse de doctorat, 2006.

Y. You and D. Kim, Influence of incidence angle and distance on the structure of aluminium nitride films prepared by reactive magnetron sputtering, Thin Solid Films, vol.515, issue.5, p.2860, 2007.
DOI : 10.1016/j.tsf.2006.08.014

E. Bär, J. Lorenz, and H. , Simulation of the influence of via sidewall tapering on step coverage of sputter-deposited barrier layers, Microelectronic Engineering, vol.64, issue.1-4, p.321, 2002.
DOI : 10.1016/S0167-9317(02)00805-5

N. S. Dellas and J. M. Harper, Effect of deposition angle on fiber axis tilt in sputtered aluminum nitride and pure metal films, Thin Solid Films, vol.515, issue.4, p.1647, 2006.
DOI : 10.1016/j.tsf.2006.05.039

A. G. Veseslov and A. Dzhumaliev, Synthesis of ordinary-and inclined-texture zinc oxide films in an inhomogeneous gas-discharge plasma, Technical Physics, vol.20, issue.4, p.497, 2000.
DOI : 10.1143/JJAP.20.519

S. Bensamaine, L. L. Brizoual, O. Elmazria, J. J. Fundenberger, and B. Benyoucef, The effects of sputtering deposition parameters of ZnO thin films on their structural parameters, Journal of Electron Devices, vol.5, p.104, 2008.

G. Roosen and «. , Matériaux semi-conducteurs III-V, II-VI et nitrures pour l'optoélectronique, 2003.

D. Royer and E. Dieulesaint, Ondes élastiques dans les solides, 1999.

E. L. Adler, SAW and PSAW Properties Using Matrix Methods, lEEE Transactions on Ultraonics Ferroelectrics and Frequency control, vol.41, issue.876, 1994.

D. Harmon, D. Morency, W. Soluch, J. F. Vetelino, and S. D. Mittleman, Experimental Determination of the SAW Properties of X-Axis Boule Cuts in Berlinite, 1978 Ultrasonics Symposium, p.594, 1978.
DOI : 10.1109/ULTSYM.1978.197109

W. , R. Smith, H. M. Gérard, J. H. Collins, T. M. Reeder et al., Analysis of inertdigital surface wave transducer by use of an equivalent circuit model, IEEE Trans. on microwave Theory and techniques, issue.11, pp.17-856, 1969.

D. P. Morgan, Surface acoustic wave devices and applications, Ultrasonics, vol.11, issue.3, p.121, 1973.
DOI : 10.1016/0041-624X(73)90608-2

F. Jungnickel and H. ?. Frohlich, Determination of transducer equivalent circuit and the coupling coefficient in SAW structures, Acoust. Ultrason, p.89, 1998.

J. H. Hines and D. C. Malocha, A simple transducer equivalent circuit parameter extraction technique, Proceedings of IEEE Ultrasonics Symposium, p.173, 1993.
DOI : 10.1109/ULTSYM.1993.339683

B. Assouar, Etude de dispositifs à ondes acoustiques de surface (SAW) à structure multicouche nitrure d'aluminium / Diamant : croissance de matériaux en couches minces et technologie de réalisation, Thèse de l' Université Henri Poincaré, 2001.

F. Martin, M. Jan, B. Belgacem, M. Dubois, and P. Muralt, Conclusion Générale et perspectives L'objectif de ce travail était de déposer des couches minces de nitrure d'aluminium cristallisant dans la structure hexagonale à axe c incliné en vue de l'excitation, Thin Solid Films, vol.514, issue.341, 2006.

. Nous-avons-entrepris, un grand nombre de dépôts afin de déterminer l'effet des paramètres de croissance sur l'angle d'inclinaison de l'axe c et d'obtenir avec précision les conditions de croissance permettant d'obtenir l'inclinaison la plus prononcée. L'objectif visé s'est avéré difficile à atteindre car la forte

. Malgré-cette-difficulté, AlN à axe c incliné dans le système AC450 du laboratoire en se basant sur les paramètres de croissance (pression, température, puissance et pourcentage d'azote)

. Dans-le-premier-chapitre, AlN à axe c incliné et leur rôle dans l'excitation des ondes élastiques de cisaillement dans des microsystèmes électro-mécaniques. Les configurations des microsystèmes à ondes acoustiques de surface (SAW) et de volume (BAW) ainsi que leur principe de fonctionnement ont été expliqués. Ensuite, nous avons présenté une étude détaillée sur la propagation des ondes élastiques dans ces structures en se basant sur la relation fondamentale de la dynamique et les équations de Maxwell Nous avons également appliqué l, Nous avons traité explicitement les conditions aux limites mécaniques et électriques pour déterminer théoriquement les principaux paramètres caractérisant un dispositif SAW

. Dans-le-second-chapitre, nous avons abordé les différentes techniques de croissance des couches minces Nous avons montré que la technique la plus appropriée à la croissance des couches d'AlN présentant les propriétés requises à basse température est la pulvérisation magnétron, Nous avons, ensuite, abordé la technologie de fabrication des microsystèmes et déterminé les paramètres optimaux permettant la réalisation de tels systèmes

. Dans-le-quatrième-chapitre, abord expliqué le procédé et présenté ensuite les principaux résultats. La variation de l'angle d'inclinaison en fonction des différents paramètres de croissance a été étudiée d'une manière détaillée. Les caractérisations effectuées sur des échantillons de 1.5 cm de côté, prélevés de wafers de 3 pouces, ont montré l'existence de 3 zones : une zone centrale de 1cm de diamètre (zone 1)

. Dans-le-cinquième-chapitre, nous avons montré la possibilité d'exciter l'onde de cisaillement dans un dispositif à ondes acoustique de surface constitué d'une couche d'AlN de 500nm sur une couche de SiO 2 de 100nm déposée dans les conditions optimales et présentant un angle d'inclinaison de 13±2°. Nous avons démontré, en effet, la possibilité d'exciter les ondes de cisaillement dans un dispositif SAW de type AlN

M. B. Fardeheb-mammeri, O. Assouar, C. Elmazria, J. J. Gatel, B. Fendenberger et al., c-axis inclined AlN film growth in planar system for shear wave devices, Diamond and Related Materials, vol.17, issue.7-10, p.1770, 2008.
DOI : 10.1016/j.diamond.2008.02.016

. Benyoucef, Growth of inclined c-axis AlN films in planar system for BAW devices, JelDev), p.132, 2007.

. Benyoucef, ?C-axis inclined AlN film growth in planar system for shear wave devices?, 2007.

@. Fardeheb-mammeri, M. B. Assouar, J. Fundenberger, O. Elmazria, and B. , Benyoucef « Dépôt de films minces de nitrure d'aluminium à axe c incliné par pulvérisation magnétron en vue de la réalisation de dispositifs à ondes acoustiques de volume

@. Fardeheb-mammeri, M. B. Assouar, J. Fundenberger, and O. , El Mazria, B. Benyoucef, ?Growth of inclined c-axis AlN films in planar system for BAW devices?, pp.25-27, 2007.

@. A. Fardeheb-mammeri, M. B. Assouar, J. Fundenberger, O. Elmazria, and B. , Benyoucef, ?Inclined c-axis AlN films deposition in planar system for BAW devices? Hasselt Diamond Workshop SBDD XII, pp.28-30, 2007.

@. Fardeheb-mammeri, M. B. Assouar, O. Elmazria, and B. , Benyoucef ?Growth of inclined c-axis AlN films in planar system for FBAR devices?