Alternatif qui débite un courant alternatif à la sortie à partir d'une source de tension continue (ici batterie 24V) à l'entrée, dans cet appareil nous allons utiliser des IGBTs pour effectuer la commutation de puissance, J ,
7) est un compteur/diviseur binaire 14 étages avec une configuration d'entrée qui permet d'obtenir un oscillateur à I'aide d'un réseau RC externe seul ou bien auquel un cristal quartz est ajouté. Dans notre cas précis un cristal quartz de 5.12MHz (Xl sw la figure Al.7) a été utilisé ,
broche 12 du 4060) est à l'état haut, alors toutes les sorties allant de Q3 à Q13 sont à l'état bas, porr cette raison MR est relié à zéro. L'oscillation à 5,|2Ivftlz fournie par le cristal Xl est relié à I'entrée RS (broche I I du 4060) Le circuit RC formé par la résistance Rl ies condensateurs, pp.5-6 ,
broche 15 du 4060) divise la fréquence d'entrée par 7024, elle fournit donc un signal de fréquence 5kHz ,
le signal qu'il reçoit sur l'entrée d'Horloge CPO (broche 14 du 4011) agit pendant le front montant. Q5 (broche I du 4017) est reliée à MR (broche 15 du 4017) pow remettre à zéro après comptage jusqu'à cinq. Le signal initial est divisé par cinq, p.4 ,
B est l'inductance qui prend la valeur de I Tesla et S la section prend la valeur de 30cm2 dans c.e cas précis. Ainsi N: 1,5 spires/volts après calcul. Pour tenir compte de la chute de tersion à travers les enroulements il faut majorer le nombre de spires de 3 ,
WARP SpeedrM IGBTs -Fast Enough To Replace power MosFETs in switching Power supplies at over 100 kllz, Switch Strategic Marketing Chesley Chao, California, 1998. ,
Switching speed enhancement in insulated gate transistors by electron irradiation, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.31, issue.12, pp.31-79 ,
DOI : 10.1109/T-ED.1984.21790
Analysis of insulated gate trarnistor turn-off wave-form, IEEE Electron Device Letters, issue.6, pp.74-77, 1985. ,
Caractérisation du vieillissement électrique de transistors microniques n-MOS par l'étude de la jonction substrat-drain, Thèse de Doctorat, 1996. ,
A critical study of the effectiveness of the single and double exponential models for I???V characterization of solar cells, Solid-State Electronics, vol.28, issue.8, pp.807-820, 1985. ,
DOI : 10.1016/0038-1101(85)90068-1
Turn-off Transient Analysis of a ,
Examination of oxide damage during high-current stress of n-MOS transistors, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.40, issue.5, pp.981-982, 1993. ,
DOI : 10.1109/16.210208
Caractérisation et simulation d'optimiser ses performances au moyen de l'irradiation Doctorat de par I'IGBT dans le but électrons, Thèse de, 1996. ,
'Border traps' in MOS devices, IEEE Transactions on Nuclear Science, vol.39, issue.2, p.269, 1992. ,
DOI : 10.1109/23.277495
A Simplifred SPICE Model for IGBT, Active and Passive Electronic Components, vol.2, pp.279-292, 1998. ,
An Analytical Model for the ,
TGBT characteristicsHow the IGBT complements the MOSFET", Application Note AN-983 pagel lg ,
Application Characterization cf IGBTsReplacing ïVïOSFETS with IGBTs, 1998. ,
Caractérisation des effets induits par des courants d'anode de forte densité dans des IGBTs, 13th Science meetingLiban), pp.2-4, 1999. ,
Characterization of stress due to Gate Voltage Pulses on IGBTs with an Adapted SPICE Macromodel, ESREF99, Xth European Symposium ,
Simple technique for separating the effects of interface traps and trapped???oxide charge in metal???oxide???semiconductor transistors, Applied Physics Letters, vol.24, issue.2, pp.133-135, 1986. ,
DOI : 10.1109/T-ED.1977.18988
The effects of Radiation on Electronic Systems, 1986. ,
DOI : 10.1007/978-94-017-5355-5
Insulated gate bipolar transistor (IGBT) modeling using IG-SPICE, IEEE Transactions on Industry Applications, vol.30, issue.1, pp.24-33, 1993. ,
DOI : 10.1109/28.273618
Mos Physics and Technology ,
Semiconductor devices, Physics and rechnologyCharacterization Method for ionizing Radiation Degradation in Power MOSFETs, 1985. ,