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e ce travail de thèse est I'étude par speeroscopi.e DLTS des diodes Sehotttcy et SchottlE orydées formées sur des substrats htP de type n. Le procédé de passivation choisi est l'orydatinn en milieu plasma, on distittgue principalement detx ,
Interface Métal-Semiconduaeur, Interface Métal-Isolant-Semicondilcteur, Spectroscopie DLTS ,