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Theses

Elaboration par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) de films minces de nitrure de bore (BN) sur phosphure d'indium (InP)

Résumé : Le nitrure de bore (BN) est un matériau chimiquement et thermiquement stable qui possède d'excellentes propriétés isolantes. Ce travail de thèse concerne l'étude de ce matériau en tant qu'isolant de grille sur du phosphure d'indium (InP), pour la réalisation de transistors à effet de champ métal-isolant-semiconducteur (misfet). Le caractère fragile de la surface de l'InP impose l'utilisation d'un procédé de dépôt basse température, afin de réduire les défauts de surface et préserver ainsi les caractéristiques électriques des capacités mis. Nous avons réalisé des dépôts de BN à la fois par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma radio-fréquence (PECVD-rf) et par PECVD-microonde. Les films obtenus ont été caractérisés par diverses techniques, spectroscopie ir, uv-visible, xps, ellipsometrie, diffraction rx. Les propriétés électriques ont été déterminées par des mesures capacité-tension, courant-tension et par spectroscopie transitoire de niveaux profonds (dlts). Les films déposés sont constitués majoritairement de bore et d'azote dans une configuration hexagonale, avec néanmoins une certaine concentration en carbone. L'indice de réfraction et la bande interdite optique ont été évalués respectivement entre 1,50-1,77 et 3,7-5,9 ev, selon le procédé pecvd utilisé. La qualité des couches déposées est similaire aux résultats reportés dans la littérature, ce qui justifie l'utilisation de ce type de procédé pour la croissance de films de BN. La comparaison des caractéristiques électriques des structures MIS Au/BN/InP réalisées dans le présent travail avec celles présentées dans la littérature concernant l'emploi sur InP d'isolants plus classiques (SiO2, Si3N4...), montre que nos structures MIS ne présentent pas une amélioration notable des propriétés électriques. A l'heure actuelle, il semble en effet que la réduction significative de la densité d'états d'interface sur InP, et donc la production industrielle de transistors misfet-InP, soient compromises
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Theses
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Contributor : Administrateur Du Ccsd <>
Submitted on : Tuesday, April 24, 2018 - 4:14:41 PM
Last modification on : Thursday, April 26, 2018 - 1:28:09 AM

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Baehr.Olivier.SMZ9737.pdf
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  • HAL Id : tel-01777220, version 1

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Olivier Baehr. Elaboration par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) de films minces de nitrure de bore (BN) sur phosphure d'indium (InP). Autre. Université Paul Verlaine - Metz, 1997. Français. ⟨NNT : 1997METZ037S⟩. ⟨tel-01777220⟩

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