Skip to Main content Skip to Navigation
Poster communications

Simulation et Optimisation d’une cellule solaire Schottky à base d’InGaN

Résumé : L'alliage de Nitrure de Gallium et d'Indium (InGaN) est un matériau semi-conducteur qui présente aujourd’hui un grand intérêt pour la réalisation de cellules solaires à très haut rendement grâce à sa large et modulable bande interdite en fonction de la composition d’Indium. Néanmoins, la croissance de couches épitaxiales d’InGaN, le dopage et le contact ohmique au niveau de la couche “P” reste un challenge. La cellule solaire Schottky est une bonne alternative pour éviter la couche “P”. Nous avons simulé et optimisé, avec des méthodes mathématiques rigoureuses, une cellule solaire Schottky afin de trouver les paramètres géométriques et physiques optimaux donnant ainsi le rendement optimal de la cellule solaire. Nous avons obtenu un rendement optimal de 18.2%. Ce dernier montre le mérite d’une telle structure qui pourrait être une alternative aux structure PN et PIN afin d’éviter les difficultés liées à la couche P de la cellule solaire.
Complete list of metadatas

https://hal.univ-lorraine.fr/hal-01338242
Contributor : Abdoulwahab Adaine <>
Submitted on : Tuesday, June 28, 2016 - 10:53:00 AM
Last modification on : Thursday, February 27, 2020 - 1:31:42 AM
Document(s) archivé(s) le : Thursday, September 29, 2016 - 11:32:25 AM

File

Poster_EMMA.pdf
Files produced by the author(s)

Identifiers

  • HAL Id : hal-01338242, version 1

Citation

Abdoulwahab Adaine, Sidi Ould Saad Hamady, Nicolas Fressengeas. Simulation et Optimisation d’une cellule solaire Schottky à base d’InGaN. Séminaire de l’école doctorale EMMA, Apr 2016, Nancy, France. ⟨hal-01338242⟩

Share

Metrics

Record views

144

Files downloads

276