Simulation et Optimisation d’une cellule solaire Schottky à base d’InGaN

Résumé : L'alliage de Nitrure de Gallium et d'Indium (InGaN) est un matériau semi-conducteur qui présente aujourd’hui un grand intérêt pour la réalisation de cellules solaires à très haut rendement grâce à sa large et modulable bande interdite en fonction de la composition d’Indium. Néanmoins, la croissance de couches épitaxiales d’InGaN, le dopage et le contact ohmique au niveau de la couche “P” reste un challenge. La cellule solaire Schottky est une bonne alternative pour éviter la couche “P”. Nous avons simulé et optimisé, avec des méthodes mathématiques rigoureuses, une cellule solaire Schottky afin de trouver les paramètres géométriques et physiques optimaux donnant ainsi le rendement optimal de la cellule solaire. Nous avons obtenu un rendement optimal de 18.2%. Ce dernier montre le mérite d’une telle structure qui pourrait être une alternative aux structure PN et PIN afin d’éviter les difficultés liées à la couche P de la cellule solaire.
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https://hal.univ-lorraine.fr/hal-01338242
Contributeur : Abdoulwahab Adaine <>
Soumis le : mardi 28 juin 2016 - 10:53:00
Dernière modification le : samedi 18 février 2017 - 01:09:58
Document(s) archivé(s) le : jeudi 29 septembre 2016 - 11:32:25

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Abdoulwahab Adaine, Sidi Ould Saad Hamady, Nicolas Fressengeas. Simulation et Optimisation d’une cellule solaire Schottky à base d’InGaN. Séminaire de l’école doctorale EMMA, Apr 2016, Nancy, France. 〈hal-01338242〉

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