L'alliage de Nitrure de Gallium et d'Indium (InGaN) est un matériau semi-conducteur qui présente aujourd’hui un grand intérêt pour la réalisation de cellules solaires à très haut rendement grâce à sa large et modulable bande interdite en fonction de la composition d’Indium. Néanmoins, la croissance de couches épitaxiales d’InGaN, le dopage et le contact ohmique au niveau de la couche “P” reste un challenge. La cellule solaire Schottky est une bonne alternative pour éviter la couche “P”. Nous avons simulé et optimisé, avec des méthodes mathématiques rigoureuses, une cellule solaire Schottky afin de trouver les paramètres géométriques et physiques optimaux donnant ainsi le rendement optimal de la cellule solaire. Nous avons obtenu un rendement optimal de 18.2%. Ce dernier montre le mérite d’une telle structure qui pourrait être une alternative aux structure PN et PIN afin d’éviter les difficultés liées à la couche P de la cellule solaire.