Simulation par méthode Monte Carlo du transport des phonons aux interfaces entre semi-conducteurs dans les matériaux nanostructurés

Résumé : De nombreuses recherches sont menées afin de trouver des matériaux qui répondent aux exigences croissantes de l’industrie de la micro-électro nique. Nous intéressons en particulier aux nanofilms Si/Ge. Nous résolvons l’Equation de Transfert de Boltzmann (ETB) à l’aide d’une méthode de Monte-Carlo. Dans notre modélisation, nous considérons que les phonons sont émis depuis une surface noire. Contrairement aux études réalisées dans le cadre des modèles traditionnels, nous considérons le passage de l’interface d’une manière globale. Les résultats montrent alors un saut de température à cet endroit qui est la manifestation de la résistance de Kapitza
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Communication dans un congrès
Société Française Thermique. Congrès Français de Thermique SFT, May 2013, Gérardmer, France. en libre accès sur le site de la Société Française Thermique http://www.sft.asso.fr, 2013
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Contributeur : Lemta Ul <>
Soumis le : jeudi 26 janvier 2017 - 14:30:35
Dernière modification le : vendredi 23 février 2018 - 16:19:16
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Valentin Jean, Sébastien Fumeron, David Lacroix. Simulation par méthode Monte Carlo du transport des phonons aux interfaces entre semi-conducteurs dans les matériaux nanostructurés. Société Française Thermique. Congrès Français de Thermique SFT, May 2013, Gérardmer, France. en libre accès sur le site de la Société Française Thermique http://www.sft.asso.fr, 2013. 〈hal-01446929〉

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