De nombreuses recherches sont menées afin de trouver des matériaux qui répondent aux exigences croissantes de l’industrie de la micro-électro nique. Nous intéressons en particulier aux nanofilms Si/Ge. Nous résolvons l’Equation de Transfert de Boltzmann (ETB) à l’aide d’une méthode de Monte-Carlo. Dans notre modélisation, nous considérons que les phonons sont émis depuis une surface noire. Contrairement aux études réalisées dans le cadre des modèles traditionnels, nous considérons le passage de l’interface d’une manière globale. Les résultats montrent alors un saut de température à cet endroit qui est la manifestation de la résistance de Kapitza