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Conference papers

Simulation par méthode Monte Carlo du transport des phonons aux interfaces entre semi-conducteurs dans les matériaux nanostructurés

Résumé : De nombreuses recherches sont menées afin de trouver des matériaux qui répondent aux exigences croissantes de l’industrie de la micro-électro nique. Nous intéressons en particulier aux nanofilms Si/Ge. Nous résolvons l’Equation de Transfert de Boltzmann (ETB) à l’aide d’une méthode de Monte-Carlo. Dans notre modélisation, nous considérons que les phonons sont émis depuis une surface noire. Contrairement aux études réalisées dans le cadre des modèles traditionnels, nous considérons le passage de l’interface d’une manière globale. Les résultats montrent alors un saut de température à cet endroit qui est la manifestation de la résistance de Kapitza
Document type :
Conference papers
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https://hal.univ-lorraine.fr/hal-01446929
Contributor : Lemta Ul Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Thursday, January 26, 2017 - 2:30:35 PM
Last modification on : Saturday, October 16, 2021 - 11:22:03 AM
Long-term archiving on: : Friday, April 28, 2017 - 5:31:03 AM

File

6184.pdf
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Identifiers

  • HAL Id : hal-01446929, version 1

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Citation

Valentin Jean, Sébastien Fumeron, David Lacroix. Simulation par méthode Monte Carlo du transport des phonons aux interfaces entre semi-conducteurs dans les matériaux nanostructurés. Congrès Français de Thermique SFT, Société Française Thermique, May 2013, Gérardmer, France. ⟨hal-01446929⟩

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