Localisation et stabilité de l'hydrogène dans le système multicouche silicium/silicium hydrogène - Université de Lorraine Accéder directement au contenu
Thèse Année : 1991

Lovcalization and stability of hydrogen in the silicon/hydrogenated silicon multilayers

Localisation et stabilité de l'hydrogène dans le système multicouche silicium/silicium hydrogène

Saoud Houssaini
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 787627
  • IdRef : 191279234

Résumé

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Ce travail est consacré à l'étude du comportement de l'hydrogène dans le silicium amorphe hydrogène préparé par évaporation, sous un flux d'hydrogène atomique, et sur un substrat maintenu à basse température. La structure des liaisons des atomes d'hydrogène est étudiée par spectroscopie infrarouge. L'approfondissement de l'étude a nécessité l'élaboration de multicouches de silicium avec une composition modulée en hydrogène. La diffraction des rayons X par ces systèmes met en évidence la diminution de la densité atomique du silicium dans les couches hydrogénées. La diffraction des neutrons permet de localiser l'hydrogène et d'étudier sa diffusion sur des distances courtes de l'ordre de quelques angströms. La diffusion sur des distances plus importantes est étudiée par des expériences d'exodiffusion. Finalement, une étude de l'alliage magnétique amorphe terbium-fer hydrogéné montre la possibilité d'élargir le domaine d'application de cette méthode d'hydrogénation à d'autres matériaux amorphes
Fichier non déposé

Dates et versions

tel-01747868 , version 1 (29-03-2018)

Identifiants

  • HAL Id : tel-01747868 , version 1

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Citer

Saoud Houssaini. Localisation et stabilité de l'hydrogène dans le système multicouche silicium/silicium hydrogène. Autre [cond-mat.other]. Université Henri Poincaré - Nancy 1, 1991. Français. ⟨NNT : 1991NAN10366⟩. ⟨tel-01747868⟩
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