L’action de l'interface isolant-(n) InP dans les structures Schottky-MIS ou l'isolant est un oxyde formé dans un plasma multi-polaire d'oxygène est examinée. L’étude est essentiellement assurée par des méthodes de caractérisation électrique développées afin de tenir compte de l'aspect non idéal de ces structures. Une meilleure compréhension des phénomènes de transport, très variés dans ces structures, est acquise à l'aide des mesures électriques I(V), C(V) et la conductance à différentes températures. Des corrélations sont établies entre les différents paramètres de la structure (facteur d'idéalité, densité d'états d'interface, résistance série, hauteur de la barrière,) et les mécanismes de conduction a l'interface et dans la couche d'oxyde. La distribution de la densité d'état d'interface des structures MIS est évaluée par différentes méthodes (Terman, DLTS et conductance) afin de les comparer et d'en établir éventuellement une certaine complémentarité.