Les techniques spectroscopiques hautes énergies (XAS, XPS, AES) nous ont permis d'étudier deux classes de matériaux très différentes. Dans une première partie, nous montrons l'existence d'une configuration électronique assimilable à une valence formelle de 3 dans l'état fondamental des atomes de cuivre présents dans les nouvelles céramiques supraconductrices Y BA[indice]2 CU[indice]3 O[indice]7-[delta]. Le pourcentage de cette configuration dans l'état fondamental est fonction de D. L'utilisation de l'absorption x dans le mode dispersif nous a permis de suivre le processus de la transformation CU I [flèche droite]CU II [flèche droite]CU III au cours de la transition st?chiométrique O[indice]6 [flèche droite]O[indice]7. La seconde partie est consacrée à l'étude des interfaces YB/PD (111) et EU/PD; dans le cas YB/PD (111), il y a formation d'un alliage équiatomique à l'interface. Pour une température du substrat maintenue à 77 K, cet alliage bloque la diffusion, et la croissance d'ytterbium pur a pu être obtenue. A 300 K, le système diffuse à nouveau pour revenir à la situation initiale (alliage équiatomique). Dans le second cas (Eu/Pd), l'ensemble des résultats obtenus pour des épaisseurs d'europium inférieures à 6 A (2 monocouches), sont compatibles avec un modèle de croissance couche par couche. Au delà de cette épaisseur critique, le système se retrouve dans une phase de diffusion réactive dont le comportement est très voisin du cas précédent (Yb/Pd(111) à 300 K).