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Modélisation du transport de phonons dans les semi-conducteurs nanostructurés

Résumé : La maîtrise des techniques de fabrication de matériaux nanostructurés a fait émerger ces dernières années de nouvelles problématiques relatives aux transferts thermiques à très courtes échelles d'espace et de temps. L'étude thermique s'effectue alors à partir de l'équation de transport de Boltzmann (ETB) pour les phonons qui sont les principaux porteurs de chaleur dans les semi-conducteurs. Ce travail résout l’ETB par une méthode statistique de type Monte Carlo en suivant le déplacement des phonons dans une nanostructure cristalline (de type nanofilm ou nanofil). On s’intéresse en particulier aux structures poreuses homogènes et avec gradient de porosité, ainsi qu’aux nanofils modulés en diamètre qui offrent des perspectives intéressantes en terme de réduction de conductivité
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Theses
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https://hal.univ-lorraine.fr/tel-01751012
Contributor : Thèses Ul <>
Submitted on : Thursday, March 29, 2018 - 1:01:42 PM
Last modification on : Tuesday, April 10, 2018 - 1:28:03 AM

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DDOC_T_2014_0145_JEAN.pdf
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  • HAL Id : tel-01751012, version 1

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Valentin Jean. Modélisation du transport de phonons dans les semi-conducteurs nanostructurés. Autre. Université de Lorraine, 2014. Français. ⟨NNT : 2014LORR0145⟩. ⟨tel-01751012⟩

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