L’étude des évolutions, en fonction de la température et de la concentration de porteurs de charge, des propriétés de transport de la solution solide Bi2(Te1-xSex)3 avec x = 0,15 permet de déterminer les mécanismes de diffusion des porteurs de charge. De plus, les résultats obtenus complètent les connaissances concernant les alliages à base de bismuth, tellure et sélénium acquises au cours de précédents travaux au laboratoire, et autorisent l'étude de l'influence de la teneur en sélénium sur les propriétés thermoélectriques des matériaux. Le point original de ce travail est l'utilisation d'une technique de recuit qui permet de saturer les échantillons et de décrire ainsi le solidus en terme d'écarts à la stœchiométrie. Les matériaux sont élabores par la méthode de croissance cristalline travelling heater qui permet d'obtenir des cristaux contenant peu de grains, homogènes en composition et parfaitement définis d'un point de vue thermodynamique. Cependant, les durées d'élaboration sont assez élevées (1 mois pour un lingot de 15 cm) et pourraient constituer un frein au développement industriel de cette technique. L’influence de la vitesse de croissance sur les performances thermoélectriques des cristaux, est étudiée expérimentalement et par la simulation numérique des transferts de chaleur mis en jeu au cours de la croissance. Le modèle qui résout l'équation de la chaleur en régime transitoire, permet de déterminer la distribution des températures et de comprendre certaines observations expérimentalesSolution solide ; Bismuth Seleniure ; Bismuth Tellerure ; Composé ternaire ; Recuit ; Alliage semiconducteur ; Transfert chaleur ; Diffusion ; Propriété thermoélectrique