Cette thèse a pour but de contribuer à la détermination des propriétés structurales (pas du réseau, module de rigidité et pression de transition) et électroniques (structure de bandes, densité de charges et densité d'états) de matériaux à base de bore et de cuivre à liaisons tétraédriques en utilisant la méthode des ondes planes augmentées linearisées (FLAPW). Nous avons étudié, en particulier, les nitrure, phosphure, arseniure et antimoniure de bore, BN, BP, BAs et BSb de la famille des semi-conducteurs III-V, ainsi que les propriétés structurales et l'effet du désordre dans l'alliage Cx(BN)1-x. Nous avons confirmé que ces composés, initialement qui cristallisent dans la structures zinc blende dans les conditions normales, évoluent, sous l'effet de pression hydrostatique élevée, vers la structures NaCl. En ce qui concerne la structure électronique, nous avons montré l'existence présence d'un gap fondamental indirect près de X ([gamma] 15v?[delta] min) pour BP, BAs et BSb, tandis que pour le BN nous avons trouvé un gap fondamental indirect suivant [gamma]15v?X1c. En ce qui concerne les halogénures de cuivre, la méthode FP-LAPW s'avère une des plus précises pour le calcul de la densité de charge et de la densité d'états, compte tenu des difficultés liées à l'hybridation des états 3d du cuivre avec les états p de l'halogène. Nous avons, en outre, étudié les propriétés structurales et électroniques ainsi que le paramètre de désordre (bowing) des alliages ternaires formes à partir des halogénures de cuivre CuCl, CuBr et CuI