Contribution à la théorie des premiers états excités électroniques dans les semiconducteurs - Université de Lorraine Accéder directement au contenu
Thèse Année : 1977

Contribution à la théorie des premiers états excités électroniques dans les semiconducteurs

Résumé

Not available
Propriétés générales des premiers états excités dans les semiconducteurs. Energie de liaison des excitons charges. Interaction d'échange électron-trou. Propriétés optiques des excitons charges. Influence du couplage électron-phonon : structure fine du spectre excitonique de CuCl. Liaison des excitons chargés avec certains centres d'impuretés. Liaison d'un exciton avec une paire donneur accepteur. Conclusion

Mots clés

Fichier principal
Vignette du fichier
Stebe.Bernard.SMZ7704.pdf (6.48 Mo) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
Loading...

Dates et versions

tel-01775588 , version 1 (24-04-2018)

Identifiants

  • HAL Id : tel-01775588 , version 1

Citer

Bernard Stébé. Contribution à la théorie des premiers états excités électroniques dans les semiconducteurs. Physique [physics]. Université Paul Verlaine - Metz, 1977. Français. ⟨NNT : 1977METZ004S⟩. ⟨tel-01775588⟩
67 Consultations
65 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More