Alliant les avantages de la technologie bipolaire et mos, l'igbt (insulated gate bipolar transistor) a pu s'imposer dans le marche de la moyenne puissance en s'adaptant a une très large gamme d'applications. Son développement l'amènera a fonctionner de plus en plus dans des environnements radiatifs (spatial, militaire, nucléaire etc.) ce qui nécessite une caractérisation spécifique. Le travail développe dans ce mémoire s'inscrit dans cet objectif. Des méthodes de caractérisation classiques ont été adaptées et de nouvelles techniques ont été developpees pour l'étude de l'igbt. L'évolution de ses paramètres physiques et électriques a été suivie en fonction de la dose et du type de l'irradiation a laquelle il est soumis. Une méthode originale de simulation des effets induits par irradiation aux électrons sur l'igbt, utilisant le simulateur de dispositifs 2d pisces, a été proposée. Une modélisation 3d est réalisée en tenant compte de la symétrie cylindrique de la cellule de base. Sa validité a été vérifiée par la confrontation des résultats de simulation avec les mesures expérimentales réalisées sur un lot d'igbts irradie a différentes doses d'irradiation par électrons d'une énergie de 4mev. Cette méthode permet de prévoir l'évolution des différents paramètres électriques de l'igbt pour une dose d'irradiation par électrons donnée et ainsi de minimiser le nombre de cycles fabrication irradiation test. Son utilisation peut être étendue a d'autres composants et a d'autres types d'irradiation