Stochastic Current-Induced Magnetization Switching in a Single Semiconducting Ferromagnetic Layer

Abstract : We show experimental evidence of magnetization switching in a single (Ga,Mn)(As,P) semiconducting ferromagnetic layer, attributed to a strong reduction of the magnetization and the anisotropy due to current injection. The nucleation of magnetization reversal is found to occur even in the absence of a magnetic field and to be both anisotropic and stochastic. Our findings highlight a new mechanism of magnetization manipulation based on spin accumulation in a semiconductor material.
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Physical Review Letters, American Physical Society, 2014, 112 (2), pp.026601 〈10.1103/PhysRevLett.112.026601〉
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Contributeur : Gregory Malinowski <>
Soumis le : vendredi 14 octobre 2016 - 11:19:10
Dernière modification le : lundi 10 décembre 2018 - 01:21:58

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Gorchon et al. - 2014 - Stocha...
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J. Gorchon, J. Curiale, A. Lemaître, N. Moisan, M. Cubukcu, et al.. Stochastic Current-Induced Magnetization Switching in a Single Semiconducting Ferromagnetic Layer. Physical Review Letters, American Physical Society, 2014, 112 (2), pp.026601 〈10.1103/PhysRevLett.112.026601〉. 〈hal-01381247〉

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