Memristive behaviour of high-impedance faults

Etienne Tisserand; Yves Berviller; Jean-Baptiste Humbert

doi:10.1049/el.2015.3738

Article Dans Une Revue Electronics Letters Année : 2016

Memristive behaviour of high-impedance faults

(1) , (1) , (1)

1

Etienne Tisserand

Fonction : Auteur
PersonId : 173719
IdHAL : etienne-tisserand
ORCID : 0000-0002-2088-3598
IdRef : 033275149

Institut Jean Lamour

Yves Berviller

Fonction : Auteur
PersonId : 1140949
IdHAL : yves-berviller
ORCID : 0000-0002-0059-3024
IdRef : 177352906

Institut Jean Lamour

Jean-Baptiste Humbert

Fonction : Auteur

Institut Jean Lamour

Domaines

Electronique Micro et nanotechnologies/Microélectronique Traitement du signal et de l'image [eess.SP]

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https://hal.univ-lorraine.fr/hal-01397368

Soumis le : mardi 15 novembre 2016-17:09:43

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:13

Dates et versions

hal-01397368 , version 1 (15-11-2016)

Identifiants

HAL Id : hal-01397368 , version 1
DOI : 10.1049/el.2015.3738

Citer

Etienne Tisserand, Yves Berviller, Jean-Baptiste Humbert. Memristive behaviour of high-impedance faults. Electronics Letters, 2016, 52 (4), pp.300 - 302. ⟨10.1049/el.2015.3738⟩. ⟨hal-01397368⟩

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