Tunneling Spintronics across MgO Driven by Double Oxygen Vacancies - Université de Lorraine
Article Dans Une Revue Advanced Electronic Materials Année : 2017

Tunneling Spintronics across MgO Driven by Double Oxygen Vacancies

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Dates et versions

hal-01686949 , version 1 (17-01-2018)

Identifiants

Citer

Michel Hehn, Beata Taudul, Elmer Nahuel Monteblanco, Ufuk Halisdemir, Daniel Lacour, et al.. Tunneling Spintronics across MgO Driven by Double Oxygen Vacancies. Advanced Electronic Materials, 2017, 3 (7), ⟨10.1002/aelm.201600390⟩. ⟨hal-01686949⟩
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