Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Power Electronics
Année : 2008
Stéphane Raël : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.univ-lorraine.fr/hal-01761044
Soumis le : samedi 7 avril 2018-15:15:43
Dernière modification le : mardi 25 avril 2023-16:48:23
Citer
Stéphane Rael, Bernard Davat. A Physics-Based Modeling of Interelectrode MOS Capacitances of Power MOSFET and IGBT. IEEE Transactions on Power Electronics, 2008, 23 (5), pp.2585 - 2594. ⟨10.1109/TPEL.2008.2002092⟩. ⟨hal-01761044⟩
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