Temperature Dependency of Silicon Carbide MOSFET On-Resistance Characterization and Modeling - Université de Lorraine Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science Forum Année : 2019

Temperature Dependency of Silicon Carbide MOSFET On-Resistance Characterization and Modeling

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02337818 , version 1 (29-10-2019)

Identifiants

Citer

Dinh-Lam Dang, Matthieu Urbain, Stéphane Rael. Temperature Dependency of Silicon Carbide MOSFET On-Resistance Characterization and Modeling. Materials Science Forum, 2019, 963, pp.592-595. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.963.592⟩. ⟨hal-02337818⟩
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