Article Dans Une Revue
Materials Science Forum
Année : 2019
Jean-Philippe MARTIN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.univ-lorraine.fr/hal-02337818
Soumis le : mardi 29 octobre 2019-16:19:48
Dernière modification le : lundi 15 avril 2024-18:20:02
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02337818 , version 1
- DOI : 10.4028/www.scientific.net/MSF.963.592
Citer
Dinh-Lam Dang, Matthieu Urbain, Stéphane Rael. Temperature Dependency of Silicon Carbide MOSFET On-Resistance Characterization and Modeling. Materials Science Forum, 2019, 963, pp.592-595. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.963.592⟩. ⟨hal-02337818⟩
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