Temperature dependency of Silicon Carbide MOSFET on-resistance characterization and modeling - Université de Lorraine
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Temperature dependency of Silicon Carbide MOSFET on-resistance characterization and modeling

Dinh-Lam Dang
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 988619
Groupe de Recherche en Energie Electrique de Nancy
Matthieu Urbain
Laboratoire d'Energétique et Mécanique Théorique et Appliquée
Stéphane Raël
Groupe de Recherche en Energie Electrique de Nancy

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Génie des procédés Energie électrique

Stéphane Raël  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-lorraine.fr/hal-02936798

Soumis le : vendredi 11 septembre 2020-17:11:41

Dernière modification le : lundi 15 avril 2024-18:20:02

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Dates et versions

hal-02936798 , version 1 (11-09-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02936798 , version 1

Citer

Dinh-Lam Dang, Matthieu Urbain, Stéphane Raël. Temperature dependency of Silicon Carbide MOSFET on-resistance characterization and modeling. 12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2018, Birmingham, United Kingdom. ⟨hal-02936798⟩

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