Physical properties of ZnO on GaN by thermal evaporation - Université de Lorraine Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03165771 , version 1 (10-03-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03165771 , version 1

Citer

M. Bouchaour, R. Bensaha, F. Lekoui, N.-E. Chabane Sari, Nabila Maloufi. Physical properties of ZnO on GaN by thermal evaporation. International Conference NANOstructures and nanomaterials SElf-Assembly 2018 (7th edition), Jul 2018, Carqueiranne, France. ⟨hal-03165771⟩
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