Oxygen and vacancy defects in silicon. A quantum mechanical characterization through the IR and Raman spectra - Université de Lorraine Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Chemical Physics Année : 2021
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Dates et versions

hal-03424364 , version 1 (10-11-2021)

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Citer

Alexander Platonenko, Fabio Colasuonno, Francesco Silvio Gentile, Fabien Pascale, Roberto Dovesi. Oxygen and vacancy defects in silicon. A quantum mechanical characterization through the IR and Raman spectra. Journal of Chemical Physics, 2021, 154 (17), pp.174707. ⟨10.1063/5.0044106⟩. ⟨hal-03424364⟩
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