Characteristics of InGaN/AlN heterostructure grown by using MOCVD technique - Université de Lorraine
Article Dans Une Revue International Journal of Nanotechnology Année : 2024

Characteristics of InGaN/AlN heterostructure grown by using MOCVD technique

Ahmad Sauffi Yusof
  • Fonction : Auteur
Zainuriah Hassan
  • Fonction : Auteur
Sha Shiong Ng
  • Fonction : Auteur
Mohd Anas Ahmad
  • Fonction : Auteur
Way Foong Lim
  • Fonction : Auteur
Sidi Ould Saad Hamady
  • Fonction : Auteur
Nicolas Fressengeas
Institut Jean Lamour
Université de Lorraine
Ministère de l'Enseignement supérieur, de la Recherche et de l'Innovation
CV

Domaines

Matière Condensée [cond-mat] Matériaux

Nicolas Fressengeas  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-lorraine.fr/hal-04722210

Soumis le : vendredi 4 octobre 2024-18:12:28

Dernière modification le : samedi 5 octobre 2024-03:20:58

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04722210 , version 1 (04-10-2024)

Licence

Paternité

Identifiants

Citer

Ahmad Sauffi Yusof, Zainuriah Hassan, Sha Shiong Ng, Mohd Anas Ahmad, Way Foong Lim, et al.. Characteristics of InGaN/AlN heterostructure grown by using MOCVD technique. International Journal of Nanotechnology, 2024, 21 (4/5), pp.214-225. ⟨10.1504/IJNT.2024.141754⟩. ⟨hal-04722210⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-LORRAINE INC-CNRS IJL-UL IJL-202
18 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

More