Characteristics of InGaN/AlN heterostructure grown by using MOCVD technique - Université de Lorraine
Article Dans Une Revue International Journal of Nanotechnology Année : 2024
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Dates et versions

hal-04722210 , version 1 (04-10-2024)

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Citer

Ahmad Sauffi Yusof, Zainuriah Hassan, Sha Shiong Ng, Mohd Anas Ahmad, Way Foong Lim, et al.. Characteristics of InGaN/AlN heterostructure grown by using MOCVD technique. International Journal of Nanotechnology, 2024, 21 (4/5), pp.214-225. ⟨10.1504/IJNT.2024.141754⟩. ⟨hal-04722210⟩
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