Cette étude est consacrée à la détermination de la distribution de la densité électronique et des propriétés électriques par diffraction des rayons X des matériaux monocristallins soumis à un champ électrique quasi-statique. Nous avons discuté, d'une manière générale, l'effet que peut avoir la phase du facteur de structure sur la densité électronique des structures non centrosymétriques. Ensuite, nous avons présenté une procédure automatique et générale pour détecter les paramètres qui sont affectés par ce fait. Par la suite nous avons suggéré que des contraintes soient appliquées. Mais, le problème majeur est de choisir, cas par cas, des contraintes qui sont raisonables d'un point de vue physico-chimique. Ceci a été illustré par des exemples : GaAs, ZnSiAs2 et LiB3O5 (LBO). Pour l'étude des changements induits par l'application d'un champ électrique sur un monocristal de KTiOPO4 (KTP), nous avons utilisé une technique expérimentale basée sur la méthode de modulation. Ainsi, nous avons pu déterminer la modification de l'angle de Bragg en fonction du champ appliqué. En outre, la constante piézo-électrique d33 de KTP est déterminée pour différents cristaux à différentes températures et tensions. Nous avons observé que d33 (15(2) pC/N) ne présente aucune anomalie autour de 150 K à laquelle la conductivité ionique apparaît. A l'aide d'une approche basée sur la théorie diélectrique de Phillips et Van Vechten, nous avons pu estimer l'effet du champ électrique sur l'intensité des rayons X diffractés par un monocristal de GaAs ; ceci est en bon accord avec les deux mesures effectuées sur GaAs.