L'objectif de ce travail, dans le domaine du génie des procédés de traitement de surface, était de mettre au point un moyen et un protocole d'élaboration de dépôts ultra minces à surface libre de l'alliage Al-Cu-Fe dans sa phase quasicristalline. Ces échantillons devaient permettre à l'avenir des études de physico-chimie rigoureuses nécessaires à la caractérisation de ces nouveaux matériaux. On décrira en détaille procédé et le protocole qui ont permis de réaliser effectivement ces films sur des substrats de saphir. La seconde partie de ce travail a consisté à caractériser le chemin de cristallisation du mélange durant son recuit de cristallisation pour obtenir des résultats non encore répertoriés dans la littérature tels que: les lois cinétiques en t[exposant]1/3, la température critique T = 450 °C, l'énergie d'activation des processus de diffusion mis en jeu, le nombre de germes à l'origine (environ 10[puissance]20 germes.m[exposant]-3) en fonction de la température du recuit des quasicristallites.