Ce mémoire est consacré à la mise en œuvre et à la modélisation de l'IGBT dans un onduleur de moyenne puissance (500 kVA) et de fréquence fondamentale élevée (500 Hz). Les problèmes liés à la mise en parallèle, au fonctionnement en commutation dure ou assistée et à la réduction des pertes dans le composant sont analysés et les solutions techniques retenues pour le montage expérimental sont présentées. Les différentes technologies de fabrication de l'IGBT, son évolution et tendances futures ont servi de base pour aborder les modèles d'IGBT utilisés en CAO. Différents outils de simulation ont permis une analyse du comportement thermique et électrique de ce composant de puissance dans un environnement d'onduleur. À l'aide d'un simulateur à usage général (Saber) deux macromodèles de module IGBT 1200V/400A ont été développés et la simulation complète d'un bras de l'onduleur avec un circuit récupératif d'aide à la commutation a été réalisée. Le premier modèle d'IGBT est basé principalement sur l'exploitation des données des caractéristiques du fabricant et le second sur l'association parallèle de modèles physiques élémentaires. Une étude comparative des deux modèles dans la structure de l'onduleur permet de montrer leurs avantages et leurs limites