Le but de cette étude est de mieux appréhender les phénomènes régissant l'épitaxie du diamant élaboré par MPCVD assisté pas polarisation sur silicium. Elle s'articule en deux grands axes : une première approche qualitative sur la réactivité du substrat et une seconde approche plus quantitative relative à l'influence des étapes de prétraitement sur le dépôt. L'importance de la mise en oeuvre d'un protocole rigoureux est mise en exergue dans ce travail. Le rôle des différentes étapes de préparation des substrats de silicium allant du nettoyage ex situ jusqu'à la croissance du diamant en passant par le nettoyage in situ par plasma H2 et la polarisation a été étudiée grâce à des techniques d'investigations telles que la microscopie électronique à balayage et à transmission, la spectroscopie de photoélectrons X, la microscopie à force atomique et la diffraction en faisceau rasant d'électrons haute énergie. Ces analyses ont mis en évidence l'apparition de structures de type « voids » associées à la formation de carbure de silicium dès l'étape de décapage hydrogène. La formation de carbone amorphe dans les premiers instants de la germination du diamant semble être corrélée à la quantité de diamant constatée après croissance, l'importance du flux d'ions pendant l'étape de polarisation sur les densités a été démontrée en parallèle. Des taux d'épitaxie jusqu'à près de 30% ont été atteints grâce à l'optimisation du couple temps/tension de polarisation ou à une carburation du substrat précédant la polarisation. La technique d'analyse de diffraction d'électrons en faisceau convergent sur des films de diamant s'est révélée adaptée à l'étude statistique de l'orientation des cristaux