Électroluminescence en avalanche des jonctions p-n à base de silicium et d'arseniure de gallium, et effet d'irradiation

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Sidi Aboujja. Électroluminescence en avalanche des jonctions p-n à base de silicium et d'arseniure de gallium, et effet d'irradiation. Electronique. Université Paul Verlaine - Metz, 2000. Français. ⟨NNT : 2000METZ027S⟩. ⟨tel-01775413⟩

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