Caractérisation de structures MOS submicroniques et analyse de défauts induits par irradiation gamma : extrapolation aux défauts induits dans les oxydes de champ des transistors bipolaires

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Hazri Bakhtiar. Caractérisation de structures MOS submicroniques et analyse de défauts induits par irradiation gamma : extrapolation aux défauts induits dans les oxydes de champ des transistors bipolaires. Autre. Université Paul Verlaine - Metz, 1999. Français. ⟨NNT : 1999METZ034S⟩. ⟨tel-01775779⟩

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