Analyse des défauts induits par irradiations ionisante et à effets de déplacement dans des structures MCT (MOS Controlled Thyristor) à partir de mesures électriques et par simulation

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Ahmed Haddi. Analyse des défauts induits par irradiations ionisante et à effets de déplacement dans des structures MCT (MOS Controlled Thyristor) à partir de mesures électriques et par simulation. Autre. Université Paul Verlaine - Metz, 1999. Français. ⟨NNT : 1999METZ030S⟩. ⟨tel-01775796⟩

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