Etude par spectroscopie DLTS des transitoires de capacité sur les interfaces oxydes natifs-(n) InP - Université de Lorraine Access content directly
Theses Year : 1990

DLTS spectroscopy analysis of capacitance transients on native oxides (n) inp interfaces

Etude par spectroscopie DLTS des transitoires de capacité sur les interfaces oxydes natifs-(n) InP

Abstract

The topic of this thesis was to investigate the energy distribution of defects, their localisation at the interface between indium phosphide and its native oxide, inside the oxide or in the bulk of the semiconductor. The results can be summarized in three points : 1) analysis by deep level transient spectroscopy (DLTS) of RF plasma native oxide-InP interface ; 2) Study by DLTS of the : effect of chemical oxidation with liquid or vapour phase nitric acid and comparison with non oxidized structures ; effect of heat treatments ; 3) results : DLTS spectra measured on all structures show discret peaks between 80K and 300K and a wide peak which appears at hight temperature. Some anomalies appears on these spectra. A two component model, including the variation of the capture cross section deduced from experiment and which correspond to a multiphonon emission process is proposed. This model fits all experimental DLTS spectra with a good accuracy. The configuration diagram is used to modelize the defects. A physical origin is proposed for the observed defects
La connaissance de la distribution en énergie des défauts ainsi que leur localisation, à l'interface entre le phosphure d'indium et son oxyde natif, dans l'isolant ou dans le volume du semi-conducteur, était le but principal de ce travail de thèse qui peut être résumé en trois points: 1) analyse par spectroscopie transitoire des niveaux profonds (DLTS) à l'interface oxyde natif-InP forme en plasma RF ; 2) étude par la DLTS: des effets des modes d'oxydation par voie chimique dans l'acide nitrique en phase liquide et en phase vapeur en les comparant à la structure non oxydée, des effets des traitements thermiques ; 3) résultats: les spectres DLTS mesurés sur toutes les structures présentent des pics discrets entre 80K et 300K et un pic large apparaissant à haute température. Ces spectres font apparaître des anomalies. Pour les expliquer, un modèle à deux composantes incluant les lois de variation des sections efficaces de capture déduites expérimentalement et correspondant au mécanisme d'émission multiphonons est proposé. Ce modèle reproduit parfaitement les spectres observés. Des diagrammes de configuration ont été utilisés pour modéliser les défauts. Des origines physiques ont été suggérées pour les défauts observés
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tel-01775863 , version 1 (24-04-2018)

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  • HAL Id : tel-01775863 , version 1

Cite

Azzedine Telia. Etude par spectroscopie DLTS des transitoires de capacité sur les interfaces oxydes natifs-(n) InP. Sciences de l'ingénieur [physics]. Université Paul Verlaine - Metz, 1990. Français. ⟨NNT : 1990METZ012S⟩. ⟨tel-01775863⟩
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