Nous étudions l'effet d'un champ magnétique sur le complexe formé par un exciton lié à une impureté neutre de type accepteur. Dans un modèle à deux bandes isotropes, nous calculons les distances interparticules moyennes afin d'apprécier la validité du modèle du pseudo-donneur. En étudiant en perturbation l'effet d'un champ magnetique faible sur le complexe, nous montrons que les deplacements diamagnétiques des raies de l'exciton et de l'exciton lie peuvent être comparables pour certaines valeurs du rapport des masses de l'électron et du trou, en accord avec l'expérience. Dans le cas de champs intenses, nous utilisons la méthode adiabatique en séparant les mouvements dans les directions parallèle et perpendiculaire au champ, alors que pour des champs moyens, nous cherchons la solution directement par la méthode variationnelle. Afin de tenir compte de la structure réelle du cristal, nous construisons l'hamiltonien du complexe par la méthode des invariants, dans le cas d'un semi-conducteur à symétrie cubique, en tenant compte des effets d'échange entre particules et du champ magnétique. Dans le cas de GaAs, nous mettons en evidence les levées de dégénérescence dues à l'effet Zeeman et nous estimons le déplacement des raies provenant des transitions entre les niveaux du complexe et ceux de l'impureté. La comparaison de ces résultats avec des données expérimentales permettrait de confirmer la nature et la structure des complexes impliqués dans les transitions optiques ainsi que d'évaluer les paramètres de bandes du semi-conducteur