Etude en liaisons fortes de la structure éléctronique des impuretés de transition et de défauts superficiels dans le titanate de strontium - Université de Lorraine Access content directly
Theses Year : 1986

Tight binding approximationof electronic structure of transition metal impurities and surface defects into strontium titanate

Etude en liaisons fortes de la structure éléctronique des impuretés de transition et de défauts superficiels dans le titanate de strontium

Abstract

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L'étude de la structure électronique des impuretés est effectuée à partir d'une paramètrisation en liaison forte de la structure de bandes au moyen des fonctions de green obtenues a partir de la méthode de récursion. Les niveaux du fer, du nickel, du vanadium, du cobalt, du chrome et du manganèse, isolés ou associés à une lacune d'oxygène sont étudiés. Dans le cas des processus de transfert de charge à partir de la bande de valence, la forme des spectres des transitions optiques est déduite et comparée aux spectres optiques expérimentaux.
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Dates and versions

tel-01776608 , version 1 (24-04-2018)

Identifiers

  • HAL Id : tel-01776608 , version 1

Cite

Marie-Odile Selme. Etude en liaisons fortes de la structure éléctronique des impuretés de transition et de défauts superficiels dans le titanate de strontium. Matière Condensée [cond-mat]. Université Henri Poincaré - Nancy 1, 1986. Français. ⟨NNT : 1986NAN10329⟩. ⟨tel-01776608⟩
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