Les progrès permanents de l'industrie des semi-conducteurs sont liés pour l'essentiel à l'accroissement continu des capacités d'intégration, à la plus petite taille des circuits de base et à un plus grand diamètre des tranches de silicium. Pour rester en compétition, il faut absolument optimiser les performances des lignes de production des circuits submicroniques avec des procédés complexes qui sont difficiles à maitriser. On comprend dans ces conditions, que le contrôle in-situ et en temps réel, des épaisseurs des circuits pendant des opérations de gravure ou de dépôt donne une sérieuse avance sur les concurrents. Parmi les méthodes optiques in situ, non intrusives, non destructives, l'interférométrie spectroscopique, sous incidence normale, permet la mesure de l'épaisseur des couches présentes sur les tranches de silicium au cours de la fabrication. Cette étude s'est déroulée en deux parties : le principe de la mesure et le contrôle de la fabrication. Pour le principe de la mesure, nous avons étudié les propriétés optiques des systèmes multicouches à l'aide du formalisme d'Abélès. Pour le contrôle de la fabrication, nous avons étudié et réalisé un instrument permettant de positionner la tête interférométrique sur des sites de mesures relativement restreints présents sur les tranches de silicium. Pour cela, il faut d'abord reconnaitre le site, puis positionner la caméra avec une précision en rapport avec la dimension du site. Un module imagerie, comprenant en particulier la recherche d'un motif, et la gestion d'une table xy motorisée ont été étudiés et intégrés au module de calcul d'épaisseur