Ce travail a été consacré à l'étude expérimentale des propriétés de transport électronique des alliages liquides de gallium à diagramme de phase métastable (Ga-In et Ga-Sn) et à lacune de miscibilité (Cd-Ga et Ga-Hg). Les mesures de résistivité électrique ont été effectuées dans le domaine au dessous du liquide stable des alliages qui présentent un eutectique simple (Ga-In et Ga-Sn). Nous avons mis en évidence des anomalies du coefficient de température de la résistivité de l'alliage Ga50Hg50 qui peuvent être attribués à la manifestation des fluctuations de concentration reliées au facteur de structure concentration-cencentration de Bhatia-Thorriton à q=0. Ce travail nous a permis d'apporter un grand nombre de résusltats expérimentaux originaux. L'intéprétation des mesures a été faite dans le cadre de la théorie de Faber-Ziman étendue au formalisme de la matrice t construite à partir des déphasages en fonction de l'énergie. L'ensemble de calcul ont été effectués en utilisant deux approches pour calculer l'énergie d'échange : la méthode de Slater et celle de Kohn-Sham