Tailoring III-nitrides and 2D boron nitride semiconductors for next generation of optoelectronic devices. - Université de Lorraine
Hdr Année : 2022

Tailoring III-nitrides and 2D boron nitride semiconductors for next generation of optoelectronic devices.

Adaptation des nitrures III et des semi-conducteurs en nitrure de bore 2D pour la prochaine génération de dispositifs optoélectroniques.

Suresh Sundaram
  • Fonction : Auteur
Georgia Tech Lorraine [Metz]

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Physique [physics]
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  • HAL Id : tel-03904531 , version 1

Citer

Suresh Sundaram. Tailoring III-nitrides and 2D boron nitride semiconductors for next generation of optoelectronic devices.. Engineering Sciences [physics]. Université de Lorraine, 2022. ⟨tel-03904531⟩

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