Tunneling magnetoresistance and induced domain structure in Al 2 O 3 -based junctions - Université de Lorraine Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review B Année : 2000

Tunneling magnetoresistance and induced domain structure in Al 2 O 3 -based junctions

Joo-Von Kim
  • Fonction : Auteur
M. Demand
  • Fonction : Auteur
Michel Hehn
K. Ounadjela
  • Fonction : Auteur
R. Stamps
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04370634 , version 1 (03-01-2024)

Identifiants

Citer

Joo-Von Kim, M. Demand, Michel Hehn, K. Ounadjela, R. Stamps. Tunneling magnetoresistance and induced domain structure in Al 2 O 3 -based junctions. Physical Review B, 2000, 61 (17), pp.11643-11648. ⟨10.1103/PhysRevB.62.6467⟩. ⟨hal-04370634⟩
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