Article Dans Une Revue
Physical Review B
Année : 2000
Michel HEHN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.univ-lorraine.fr/hal-04370634
Soumis le : mercredi 3 janvier 2024-11:09:05
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:13
Citer
Joo-Von Kim, M. Demand, Michel Hehn, K. Ounadjela, R. Stamps. Tunneling magnetoresistance and induced domain structure in Al 2 O 3 -based junctions. Physical Review B, 2000, 61 (17), pp.11643-11648. ⟨10.1103/PhysRevB.62.6467⟩. ⟨hal-04370634⟩
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