Ce travail démontre la possibilité de synthèse électrochimique de semi-conducteurs d'alliage bismuth-tellure développant des propriétés thermoélectriques. L'étude analytique prouve l'électroformation directe d'un tellurure de bismuth de st?chiométrie proche du tellurure de bismuth pur. Elle amène à la mise en place d'un protocole de synthèse intensiostatique correspondant à l'approche d'un processus industrialisable. La st?chiométrie du matériau électrodéposé est étudiée en fonction de l'épaisseur du matériau, de la composition de la solution de synthèse, de la densité de courant appliquée, et de l'électrode support utilisée. Une étude identique conduite sur la croissance des couches montre que la texture est directement liée à la st?chiométrie et donc à la densité de courant. Les caractérisations physico-chimiques électriques et thermoélectriques sont effectuées en fonction de l'épaisseur et de la st?chiométrie. Les valeurs de résistivité électrique et de pouvoir thermoélectrique sont mesurées par des technologies de haute pointe (potentiomètre thermique). Des mesures d'effet hall en fonction de la température ont également été réalisées. Une courte étude sur les composés ternaires à base de bismuth-tellure-sélénium, démontre les possibilités potentielles des procédés d'électrodéposition pour la synthèse de matériaux de type ternaire ou quaternaire à propriétés thermoélectriques