Le travail porte sur les mesures de résistivité et de pouvoir thermoélectrique d'alliages métalliques à l'état liquide afin de mettre en évidence les différences propres à trois catégories d'alliages en fonction de la composition et des éléments constitutifs. L'analyse des résultats est conduite à partir des premiers principes relatifs aux équations de transport électronique et à la structure de l'état liquide. Dans le premier chapitre, nous exposons les équations et les approximations qui permettent de résoudre l'équation de Boltzmann lorsque l'on connaît les positions atomiques moyennes des atomes dans le liquide et le champ perturbateur dans lequel évoluent les électrons libres ou semi-libres. Les dispositifs expérimentaux développés dans ce travail sont mis en oeuvre dans les chapitres 2 et 3 : cellule en silice fondue et nacelle en alumine. Les chapitres 4 à 6 sont consacrés respectivement à l'analyse des résultats expérimentaux (résistivité puis pouvoir thermoélectrique) des alliages métalliques ; étain-bismuth, manganèse-indium et des composés semiconducteurs ; silicium-tellure à l'état liquide. Pour l'alliage étain-bismuth, nous avons mis en évidence une importante anomalie dans la dérivée expérimentale de la résistivité en fonction de la température vers une concentration d'environ 60% en bismuth. Ce résultat n'est pas confirmé par la théorie de type Faber-Ziman si l'on admet une distribution atomique de type sphères dures dans l'alliage. Nous nous sommes également intéressés dans le chapitre 5 à un composé representant des caractéristiques semiconductrices à l'état liquide (Si-Te). Nous avons déterminé l'énergie d'activation à partir de la variation de température de la résistivité et du pouvoir thermoélectrique. Dans le chapitre 6, nous avons pu montrer pour l'alliage manganèse-indium que la formule de Faber-Ziman étendue (avec les déphasages) donne de meilleurs résultats [...]