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Theses

Analyse et étude de transistors nLDDMOSFETs de technologie 1.2 micromètres, et des effets induits par irradiations

Résumé : Sous l'impulsion des innovations technologiques récentes, la réduction des dimensions des composants électroniques a entrainé une modification importante de leur comportement électrique et une plus grande sensibilité aux agressions extérieures. Il est donc toujours d'actualité d'analyser les processus électroniques impliques dans ces nouvelles structures. Dans ce but, nous présentons dans ce travail une étude réalisée sur des transistors nLDDMOSFETs issus de la technologie 1,2 um de matra-mhs, et s'articulant sur deux grands axes principaux: * le premier fait appel à une étude expérimentale, basée d'une part sur l'évolution des paramètres de conduction du transistor, et d'autre part sur la modification des paramètres caractéristiques de la jonction drain-substrat du transistor. Une étude complémentaire de capacités MOS est effectuée en vue d'accéder à d'autres paramètres technologiques. Une méthodologie de caractérisation cohérente du transistor et de ses éléments a été développée. La détérioration des propriétés de la jonction drain-substrat vers le domaine submicronique a été analysée et reliée à la réduction des dimensions. L'effet de la réduction des dimensions sur la tension de seuil a été mis en évidence. * le deuxième est une simulation 2D de ces dispositifs, réalisée sur deux niveaux: une simulation du procédé de fabrication à l'aide du simulateur de process (bidimensionnel) ATHENA. Elle s'appuie essentiellement sur l'ajustement des profils de dopage fournis par le constructeur, par le choix approprie des paramètres process (énergie et dose d'implantation, condition de recuit, etc.). Une simulation du comportement électrique statique de ces dispositifs à l'aide du simulateur de devices S PISCES 2B, s'appuyant principalement sur le choix des modèles physiques traduisant au mieux les phénomènes à prendre en compte dans ce type de dispositifs. Nos outils de simulation sont distribués par Silvaco international. Finalement, ce travail met au point une méthode de caractérisation cohérente des effets dus aussi bien à la réduction des dimensions, qu'à ceux lies a la dégradation du comportement électrique de ces dispositifs, suite à une irradiation. Il met en place une méthodologie de simulation qui a permis de montrer le rôle de la double implantation du canal (B et As) pour l'ajustement de la tension de seuil, l'influence de l'épaisseur du substrat ainsi que les effets de réduction technologique du canal sur les caractéristiques électriques. Ce travail montre que les irradiations ionisantes et les effets de déplacement peuvent être caractérisés par l'étude de la jonction drain-substrat. Il montre également que la dose influence les processus de conduction dans cette jonction au meme titre qu'une polarisation sur la grille
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Theses
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Contributor : Administrateur Du Ccsd <>
Submitted on : Tuesday, April 24, 2018 - 4:14:02 PM
Last modification on : Thursday, April 26, 2018 - 1:28:12 AM

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Blampain.Eloi.SMZ9707.pdf
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  • HAL Id : tel-01777195, version 1

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Eloi Blampain. Analyse et étude de transistors nLDDMOSFETs de technologie 1.2 micromètres, et des effets induits par irradiations. Autre. Université Paul Verlaine - Metz, 1997. Français. ⟨NNT : 1997METZ007S⟩. ⟨tel-01777195⟩

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